H5AN8G8NCJR-PBC vs K4A8G165WC-BCRC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G8NCJR-PBC מאת SK hynix ו K4A8G165WC-BCRC מאת Samsung Electro-Mechanics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN8G8NCJR-PBC | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | Samsung Electro-Mechanics |
| קטגוריה | Memory ICs | EEPROM |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | — | In Stock |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $19.69 |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 8 Gb (1 GB) | 8 Gbit |
| ארגון | 1G x 8 (x8) | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Interface Voltage (VDDQ) | 1.2 V (SSTL12) | — |
| קצב נתונים | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] | 2400 Mbps |
| מארז | 78-ball FBGA | 96-FBGA (TFBGA) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Architecture | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked | — |
| Bank Structure | 8 internal banks, bank-group architecture | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| תכונות | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Die Revision Family | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) | — |
| סטטוס RoHS | Lead-Free & Halogen-Free | Compliant |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0 C to +95 C |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Typical Applications | PC/server main memory, embedded solder-down memory | — |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz |
| מתח אספקה | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| ממשק | — | Parallel, 16-bit DDR |
| Standby Current (Idle) | — | 2 mA |
| Operating Current | — | 64 mA |
| Die Generation | — | C-die |
| Memory Format | — | DRAM |