H5AN8G8NCJR-PBC vs K4A8G165WC-BCRC তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা H5AN8G8NCJR-PBC নির্দিষ্ট SK hynix ও K4A8G165WC-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electro-Mechanics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | H5AN8G8NCJR-PBC | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | SK hynix | Samsung Electro-Mechanics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | EEPROM |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| স্টক স্ট্যাটাস | — | In Stock |
| ইউনিট মূল্য (USD) | — | $19.69 |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 8 Gb (1 GB) | 8 Gbit |
| সংগঠন | 1G x 8 (x8) | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Interface Voltage (VDDQ) | 1.2 V (SSTL12) | — |
| ডেটা রেট | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] | 2400 Mbps |
| প্যাকেজ | 78-ball FBGA | 96-FBGA (TFBGA) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Architecture | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked | — |
| Bank Structure | 8 internal banks, bank-group architecture | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| বৈশিষ্ট্য | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Die Revision Family | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Lead-Free & Halogen-Free | Compliant |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0 C to +95 C |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Typical Applications | PC/server main memory, embedded solder-down memory | — |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| ইন্টারফেস | — | Parallel, 16-bit DDR |
| Standby Current (Idle) | — | 2 mA |
| Operating Current | — | 64 mA |
| Die Generation | — | C-die |
| Memory Format | — | DRAM |