H5AN8G8NCJR-PBC vs K4A8G165WC-BCRC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G8NCJR-PBC توسط SK hynix و K4A8G165WC-BCRC توسط Samsung Electro-Mechanics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G8NCJR-PBC | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | Samsung Electro-Mechanics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | EEPROM |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | — | In Stock |
| قیمت واحد (USD) | — | $19.69 |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gb (1 GB) | 8 Gbit |
| سازمان | 1G x 8 (x8) | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Interface Voltage (VDDQ) | 1.2 V (SSTL12) | — |
| نرخ داده | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] | 2400 Mbps |
| بسته‌بندی | 78-ball FBGA | 96-FBGA (TFBGA) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Architecture | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked | — |
| Bank Structure | 8 internal banks, bank-group architecture | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| ویژگی‌ها | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Die Revision Family | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) | — |
| وضعیت RoHS | Lead-Free & Halogen-Free | Compliant |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0 C to +95 C |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Typical Applications | PC/server main memory, embedded solder-down memory | — |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| رابط | — | Parallel, 16-bit DDR |
| Standby Current (Idle) | — | 2 mA |
| Operating Current | — | 64 mA |
| Die Generation | — | C-die |
| Memory Format | — | DRAM |