H5TC4G63AFR-PBI vs H5TC4G63MFR-PBA مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5TC4G63AFR-PBI بواسطة SK hynix و H5TC4G63MFR-PBA بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5TC4G63AFR-PBI | H5TC4G63MFR-PBA |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | Obsolete | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| معدل البيانات | DDR3-1600 (PC3L-12800) | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| جهد التغذية | 1.35 V | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 (BL8) | BL8, BL4 (with burst chop) |
| زمن الوصول CAS | Programmable | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| Refresh Period | 7.8 us at 85°C | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C | — |
| العلبة | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) | 96-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (+0.100V/-0.067V) |
| CAS Latency (CL) | — | Programmable |
| CAS Write Latency (CWL) | — | Programmable |
| Additive Latency | — | Programmable |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | — | Yes |
| Process Technology | — | 30nm-class |
| RoHS Compliant | — | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) |