H5TC4G63AFR-PBI vs H5TC4G63MFR-PBA तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5TC4G63AFR-PBI द्वारा SK hynix और H5TC4G63MFR-PBA द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5TC4G63AFR-PBI | H5TC4G63MFR-PBA |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | Obsolete | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| डेटा दर | DDR3-1600 (PC3L-12800) | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 (BL8) | BL8, BL4 (with burst chop) |
| CAS लेटेंसी | Programmable | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| Refresh Period | 7.8 us at 85°C | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40°C to +95°C | — |
| पैकेज | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) | 96-ball FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (+0.100V/-0.067V) |
| CAS Latency (CL) | — | Programmable |
| CAS Write Latency (CWL) | — | Programmable |
| Additive Latency | — | Programmable |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | — | Yes |
| Process Technology | — | 30nm-class |
| RoHS Compliant | — | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) |