H5TC4G63AFR-PBI vs H5TC4G63MFR-PBA موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5TC4G63AFR-PBI بذریعہ SK hynix اور H5TC4G63MFR-PBA بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete
SK hynix
H5TC4G63MFR-PBA H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63MFR-PBA
برانڈ SK hynix SK hynix
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت Obsolete فعال
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
تنظیم 256M x 16 256M x 16
Total Memory Size 4 Gb —
ڈیٹا ریٹ DDR3-1600 (PC3L-12800) 1866 Mbps (PC3L-14900)
سپلائی وولٹیج 1.35 V —
Number of Banks 8 8
Burst Length 8 (BL8) BL8, BL4 (with burst chop)
CAS لیٹنسی Programmable —
On-Die Termination (ODT) Yes Yes
Refresh Period 7.8 us at 85°C —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40°C to +95°C —
پیکیج 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) 96-ball FBGA
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount —
Number of Terminals 96 —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Density — 4 Gb
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V (+0.100V/-0.067V)
CAS Latency (CL) — Programmable
CAS Write Latency (CWL) — Programmable
Additive Latency — Programmable
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Temperature-Compensated Self-Refresh — Yes
Process Technology — 30nm-class
RoHS Compliant — Yes (Lead-Free & Halogen-Free)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں