H5TC4G63AFR-PBI vs H5TC4G63MFR-PBA So sánh
So sánh chi tiết song song của H5TC4G63AFR-PBI bằng SK hynix và H5TC4G63MFR-PBA bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | H5TC4G63AFR-PBI | H5TC4G63MFR-PBA |
|---|---|---|
| Thương hiệu | SK hynix | SK hynix |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Obsolete | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tổ chức | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| Tốc độ dữ liệu | DDR3-1600 (PC3L-12800) | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Điện áp cung cấp | 1.35 V | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 (BL8) | BL8, BL4 (with burst chop) |
| Latency CAS | Programmable | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| Refresh Period | 7.8 us at 85°C | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -40°C to +95°C | — |
| Hộp | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) | 96-ball FBGA |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (+0.100V/-0.067V) |
| CAS Latency (CL) | — | Programmable |
| CAS Write Latency (CWL) | — | Programmable |
| Additive Latency | — | Programmable |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | — | Yes |
| Process Technology | — | 30nm-class |
| RoHS Compliant | — | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) |