IAUS300N08S5N012T vs IAUS300N08S5N012 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUS300N08S5N012T بواسطة Infineon و IAUS300N08S5N012 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IAUS300N08S5N012T IAUS300N08S5N012
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUS300N08S5N012T —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 planar trench
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V —
On-State Resistance (R_DS(on)) 1.2 mΩ max @ V_GS = 10 V —
Continuous Drain Current (I_D) 300 A (Tj) —
Power Dissipation (P_D) 375 W (Tc) —
Thermal Resistance Junction-to-Case (R_thJC) 0.4 K/W —
Maximum Chip Current 400 A at 25°C (chip-limited) —
العلبة PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled) PG-HSOG-8-1 (Surface Mount)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Channel Polarity N-Channel —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
Marking Code 5N08012 —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: full min/max operating temperature range] -55°C to +175°C
حالة RoHS Compliant (per Infineon product page) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: typical threshold voltage] —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: typical total gate charge] —
Series — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 300 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> Max at VGS=10V — 1.2 mΩ typical
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 3.8 V at 275 µA
Power Dissipation (PD) at TC — 375 W
مستوى MSL — MSL1 (up to 260°C peak reflow)
RoHS Compliance — RoHS compliant (Green product)
Avalanche Rating — 100% Avalanche tested
Terminals — 8

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر