IAUS300N08S5N012T vs IAUS300N08S5N012 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUS300N08S5N012T توسط Infineon و IAUS300N08S5N012 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUS300N08S5N012T IAUS300N08S5N012
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUS300N08S5N012T —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 planar trench
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V —
On-State Resistance (R_DS(on)) 1.2 mΩ max @ V_GS = 10 V —
Continuous Drain Current (I_D) 300 A (Tj) —
Power Dissipation (P_D) 375 W (Tc) —
Thermal Resistance Junction-to-Case (R_thJC) 0.4 K/W —
Maximum Chip Current 400 A at 25°C (chip-limited) —
بسته‌بندی PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled) PG-HSOG-8-1 (Surface Mount)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Channel Polarity N-Channel —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
Marking Code 5N08012 —
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: full min/max operating temperature range] -55°C to +175°C
وضعیت RoHS Compliant (per Infineon product page) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: typical threshold voltage] —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: typical total gate charge] —
Series — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 300 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> Max at VGS=10V — 1.2 mΩ typical
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 3.8 V at 275 µA
Power Dissipation (PD) at TC — 375 W
سطح MSL — MSL1 (up to 260°C peak reflow)
RoHS Compliance — RoHS compliant (Green product)
Avalanche Rating — 100% Avalanche tested
Terminals — 8

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت