IAUS300N08S5N012T vs IAUS300N08S5N012 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUS300N08S5N012T بذریعہ Infineon اور IAUS300N08S5N012 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUS300N08S5N012T IAUS300N08S5N012
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUS300N08S5N012T —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 planar trench
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V —
On-State Resistance (R_DS(on)) 1.2 mΩ max @ V_GS = 10 V —
Continuous Drain Current (I_D) 300 A (Tj) —
Power Dissipation (P_D) 375 W (Tc) —
Thermal Resistance Junction-to-Case (R_thJC) 0.4 K/W —
Maximum Chip Current 400 A at 25°C (chip-limited) —
پیکیج PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled) PG-HSOG-8-1 (Surface Mount)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Channel Polarity N-Channel —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
Marking Code 5N08012 —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: full min/max operating temperature range] -55°C to +175°C
RoHS اسٹیٹس Compliant (per Infineon product page) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: typical threshold voltage] —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: typical total gate charge] —
Series — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 300 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> Max at VGS=10V — 1.2 mΩ typical
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 3.8 V at 275 µA
Power Dissipation (PD) at TC — 375 W
MSL لیول — MSL1 (up to 260°C peak reflow)
RoHS Compliance — RoHS compliant (Green product)
Avalanche Rating — 100% Avalanche tested
Terminals — 8

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں