IAUS300N08S5N012T vs IAUS300N08S5N012 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUS300N08S5N012T מאת Infineon ו IAUS300N08S5N012 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IAUS300N08S5N012T IAUS300N08S5N012
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUS300N08S5N012T —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 planar trench
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V —
On-State Resistance (R_DS(on)) 1.2 mΩ max @ V_GS = 10 V —
Continuous Drain Current (I_D) 300 A (Tj) —
Power Dissipation (P_D) 375 W (Tc) —
Thermal Resistance Junction-to-Case (R_thJC) 0.4 K/W —
Maximum Chip Current 400 A at 25°C (chip-limited) —
מארז PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled) PG-HSOG-8-1 (Surface Mount)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Channel Polarity N-Channel —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
Marking Code 5N08012 —
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: full min/max operating temperature range] -55°C to +175°C
סטטוס RoHS Compliant (per Infineon product page) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: typical threshold voltage] —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: typical total gate charge] —
Series — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 300 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> Max at VGS=10V — 1.2 mΩ typical
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 3.8 V at 275 µA
Power Dissipation (PD) at TC — 375 W
רמת MSL — MSL1 (up to 260°C peak reflow)
RoHS Compliance — RoHS compliant (Green product)
Avalanche Rating — 100% Avalanche tested
Terminals — 8

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר