IPB100N12S305ATMA2 vs IRFB3207ZPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB100N12S305ATMA2 بواسطة Infineon و IRFB3207ZPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB100N12S305ATMA2 IRFB3207ZPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Series OptiMOS 5 120V HEXFET
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) 0.0048 ohm (4.8 mΩ) at VGS=10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Avalanche Energy (EAS) 1445 mJ —
العلبة / الحالة PG-TO263-3-2 (D2PAK) —
نوع التركيب Surface Mount Through Hole
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C (TJ) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
حالة RoHS Compliant —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] N/A (through-hole)
Part Number — IRFB3207ZPBF
Technology — N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
Silicon-Limited Drain Current — 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +175 C
العلبة — TO-220AB (3-lead through-hole)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر