IPB100N12S305ATMA2 vs IRFB3207ZPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IPB100N12S305ATMA2 bằng Infineon và IRFB3207ZPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPB100N12S305ATMA2 IPB100N12S305ATMA2 - 120V 100A N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS 5

IPB100N12S305ATMA2 - 120V 100A N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS 5

IPB100N12S305ATMA2 ✓ Hoạt động
Infineon
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF - 75V N-Channel HEXFET MOSFET 170A | Infineon

IRFB3207ZPBF - 75V N-Channel HEXFET MOSFET 170A | Infineon

IRFB3207ZPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPB100N12S305ATMA2 IRFB3207ZPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Series OptiMOS 5 120V HEXFET
Kiểu transitor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) 0.0048 ohm (4.8 mΩ) at VGS=10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Avalanche Energy (EAS) 1445 mJ —
Hộp / Vỏ PG-TO263-3-2 (D2PAK) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Through Hole
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 °C to +175 °C (TJ) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Trạng thái RoHS Compliant —
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] N/A (through-hole)
Part Number — IRFB3207ZPBF
Technology — N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
Silicon-Limited Drain Current — 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55 C to +175 C
Hộp — TO-220AB (3-lead through-hole)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá