IPB100N12S305ATMA2 vs IRFB3207ZPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB100N12S305ATMA2 tarafından Infineon ve IRFB3207ZPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB100N12S305ATMA2 IRFB3207ZPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Series OptiMOS 5 120V HEXFET
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) 0.0048 ohm (4.8 mΩ) at VGS=10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Avalanche Energy (EAS) 1445 mJ —
Paket / Kas PG-TO263-3-2 (D2PAK) —
Montaj Türü Surface Mount Through Hole
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C (TJ) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] N/A (through-hole)
Part Number — IRFB3207ZPBF
Technology — N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
Silicon-Limited Drain Current — 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
Paket — TO-220AB (3-lead through-hole)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin