IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPB65R041CFD7ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB60R040CFD7ATMA1 بواسطة Infineon و IPB65R041CFD7ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB60R040CFD7ATMA1 IPB65R041CFD7ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
حالة المخزون In Stock —
سعر الوحدة (USD) $5.19 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS CFD7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET CoolMOS CFD7 superjunction N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 40 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
تبديد القدرة (TC=25°C) 227 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +150°C —
العلبة PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Integrated Body Diode Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode —
مستوى MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Target Applications Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) —
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 650 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) — 50 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 41 mΩ
Power Dissipation (P_D, Tc=25°C) — 227 W
Gate-Source Voltage (V_GS) — ±20 V (max)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) — 4.5 V
Total Gate Charge (Q_G typ) — [DATA_NEEDED: Q_G value]
Body Diode Reverse Recovery (Q_rr) — [DATA_NEEDED: Q_rr value]
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55°C to +150°C
عدد الأطراف — 3 (Gate / Drain / Source, tab = Drain)
خالٍ من الهالوجين — Yes
Series — CoolMOS™ CFD7

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر