IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPB65R041CFD7ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB60R040CFD7ATMA1 tarafından Infineon ve IPB65R041CFD7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB60R040CFD7ATMA1 IPB65R041CFD7ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu In Stock —
Birim Fiyat (USD) $5,19 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS CFD7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET CoolMOS CFD7 superjunction N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 40 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Güç Tüketimi (TC=25°C) 227 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C —
Paket PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Integrated Body Diode Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode —
MSL Seviyesi 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Target Applications Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) —
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 650 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) — 50 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 41 mΩ
Power Dissipation (P_D, Tc=25°C) — 227 W
Gate-Source Voltage (V_GS) — ±20 V (max)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) — 4.5 V
Total Gate Charge (Q_G typ) — [DATA_NEEDED: Q_G value]
Body Diode Reverse Recovery (Q_rr) — [DATA_NEEDED: Q_rr value]
İşletim Jant Sıcaklığı — -55°C to +150°C
Pin Sayısı — 3 (Gate / Drain / Source, tab = Drain)
Klorürsüz — Yes
Series — CoolMOS™ CFD7

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin