IPB60R125C6ATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB60R125C6ATMA1 بواسطة Infineon و IPB60R040CFD7ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB60R125C6ATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
حالة المخزون — In Stock
سعر الوحدة (USD) — $5.19
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ C6 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 30 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 125 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Gate Charge (Qg, typical) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 219 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55°C to +150°C —
العلبة / الحالة PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-3 —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Status Yes —
Product Family — CoolMOS CFD7
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
تبديد القدرة (TC=25°C) — 227 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55°C to +150°C
العلبة — PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
مستوى MSL — 1
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر