IPB60R125C6ATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB60R125C6ATMA1 द्वारा Infineon और IPB60R040CFD7ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB60R125C6ATMA1 | IPB60R040CFD7ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | — | In Stock |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $5.19 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ C6 | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 30 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 125 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Gate Charge (Qg, typical) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 219 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55°C to +150°C | — |
| पैकेज / केस | PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free Status | Yes | — |
| Product Family | — | CoolMOS CFD7 |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 50 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 40 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 4 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| पावर डिसिपेशन (TC=25°C) | — | 227 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55°C to +150°C |
| पैकेज | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| Integrated Body Diode | — | Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode |
| MSL स्तर | — | 1 |
| Lead-Free | — | Yes |
| Target Applications | — | Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) |