IPB60R125C6ATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB60R125C6ATMA1 מאת Infineon ו IPB60R040CFD7ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPB60R125C6ATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סטטוס מלאי — In Stock
מחיר ליחידה (USD) — $5.19
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ C6 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 30 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 125 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Gate Charge (Qg, typical) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 219 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55°C to +150°C —
מארז / Case PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-3 —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Status Yes —
Product Family — CoolMOS CFD7
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
פיזור הספק (TC=25°C) — 227 W
טווח טמפרטורת פעולה — -55°C to +150°C
מארז — PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
רמת MSL — 1
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר