IPB60R125C6ATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB60R125C6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB60R040CFD7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB60R125C6ATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت — In Stock
فی یونٹ قیمت (USD) — $5.19
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ C6 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 30 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 125 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Gate Charge (Qg, typical) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 219 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55°C to +150°C —
پیکیج / کیس PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-3 —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Status Yes —
Product Family — CoolMOS CFD7
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) — 227 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55°C to +150°C
پیکیج — PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
MSL لیول — 1
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں