IPB60R125C6ATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPB60R125C6ATMA1 توسط Infineon و IPB60R040CFD7ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPB60R125C6ATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
وضعیت موجودی — In Stock
قیمت واحد (USD) — $5.19
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ C6 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 30 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 125 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Gate Charge (Qg, typical) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 219 W —
دمای اتصال کاری -55°C to +150°C —
بسته‌بندی / کیس PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-3 —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Status Yes —
Product Family — CoolMOS CFD7
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
اتلاف توان (TC=25°C) — 227 W
محدوده دمای کاری — -55°C to +150°C
بسته‌بندی — PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
سطح MSL — 1
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت