IPB65R041CFD7ATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB65R041CFD7ATMA1 بواسطة Infineon و IPB60R040CFD7ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB65R041CFD7ATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
حالة المخزون — In Stock
سعر الوحدة (USD) — $5.19
Technology CoolMOS CFD7 superjunction N-channel MOSFET Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS max) 650 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) 50 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 41 mΩ —
Power Dissipation (P_D, Tc=25°C) 227 W —
Gate-Source Voltage (V_GS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) 4.5 V —
Total Gate Charge (Q_G typ) [DATA_NEEDED: Q_G value] —
Body Diode Reverse Recovery (Q_rr) [DATA_NEEDED: Q_rr value] —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55°C to +150°C —
العلبة PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 3 (Gate / Drain / Source, tab = Drain) —
حالة RoHS Compliant Compliant
خالٍ من الهالوجين Yes —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Series CoolMOS™ CFD7 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS CFD7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
تبديد القدرة (TC=25°C) — 227 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55°C to +150°C
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر