IPB65R041CFD7ATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB65R041CFD7ATMA1 tarafından Infineon ve IPB60R040CFD7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB65R041CFD7ATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu — In Stock
Birim Fiyat (USD) — $5,19
Technology CoolMOS CFD7 superjunction N-channel MOSFET Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS max) 650 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) 50 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 41 mΩ —
Power Dissipation (P_D, Tc=25°C) 227 W —
Gate-Source Voltage (V_GS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) 4.5 V —
Total Gate Charge (Q_G typ) [DATA_NEEDED: Q_G value] —
Body Diode Reverse Recovery (Q_rr) [DATA_NEEDED: Q_rr value] —
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +150°C —
Paket PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Gate / Drain / Source, tab = Drain) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Klorürsüz Yes —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Series CoolMOS™ CFD7 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS CFD7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Güç Tüketimi (TC=25°C) — 227 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55°C to +150°C
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin