IPD60R145CFD7ATMA1 vs IPD082N10N3GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD60R145CFD7ATMA1 بواسطة Infineon و IPD082N10N3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPD60R145CFD7ATMA1 IPD082N10N3GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS CFD7 (superjunction) OptiMOS 3 (Trench N-Channel)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 600 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 16 A (T<sub>C</sub> = 25C) —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 145 mOhm —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 83 W (T<sub>C</sub> = 25C) —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max] —
العلبة TO-252AA (DPAK) surface mount —
Body Diode Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>) —
درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) —
نوع التركيب Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab) Surface Mount
عدد الأطراف 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Gate, Drain, Source)
Series CoolMOS CFD7 —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
حالة RoHS Compliant Compliant
Target Application ZVS / LLC resonant converters, soft switching —
Part Number — IPD082N10N3GATMA1
Manufacturer — Infineon Technologies
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C — 80 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 8.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 125 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55°C to +175°C
العلبة / الحالة — PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Automotive Qualified (AEC-Q101) — Not applicable (industrial/consumer grade)
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر