IPD60R145CFD7ATMA1 vs IPD082N10N3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R145CFD7ATMA1 tarafından Infineon ve IPD082N10N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD60R145CFD7ATMA1 IPD082N10N3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS CFD7 (superjunction) OptiMOS 3 (Trench N-Channel)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 600 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 16 A (T<sub>C</sub> = 25C) —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 145 mOhm —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 83 W (T<sub>C</sub> = 25C) —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max] —
Paket TO-252AA (DPAK) surface mount —
Body Diode Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>) —
İşletim Sıcaklığı -55C to +150C (junction) —
Montaj Türü Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab) Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Gate, Drain, Source)
Series CoolMOS CFD7 —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Target Application ZVS / LLC resonant converters, soft switching —
Part Number — IPD082N10N3GATMA1
Manufacturer — Infineon Technologies
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C — 80 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 8.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 125 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55°C to +175°C
Paket / Kas — PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Automotive Qualified (AEC-Q101) — Not applicable (industrial/consumer grade)
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin