IPD60R145CFD7ATMA1 vs IPD082N10N3GATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD60R145CFD7ATMA1 מאת Infineon ו IPD082N10N3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPD60R145CFD7ATMA1 IPD082N10N3GATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS CFD7 (superjunction) OptiMOS 3 (Trench N-Channel)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 600 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 16 A (T<sub>C</sub> = 25C) —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 145 mOhm —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 83 W (T<sub>C</sub> = 25C) —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max] —
מארז TO-252AA (DPAK) surface mount —
Body Diode Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>) —
טמפרטורת פעולה -55C to +150C (junction) —
סוג הרכבה Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab) Surface Mount
מספר פינים 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Gate, Drain, Source)
Series CoolMOS CFD7 —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Target Application ZVS / LLC resonant converters, soft switching —
Part Number — IPD082N10N3GATMA1
Manufacturer — Infineon Technologies
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C — 80 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 8.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 125 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55°C to +175°C
מארז / Case — PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Automotive Qualified (AEC-Q101) — Not applicable (industrial/consumer grade)
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר