IPD60R145CFD7ATMA1 vs IPD082N10N3GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPD60R145CFD7ATMA1 توسط Infineon و IPD082N10N3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPD60R145CFD7ATMA1 IPD082N10N3GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS CFD7 (superjunction) OptiMOS 3 (Trench N-Channel)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 600 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 16 A (T<sub>C</sub> = 25C) —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 145 mOhm —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 83 W (T<sub>C</sub> = 25C) —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max] —
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK) surface mount —
Body Diode Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>) —
دمای کاری -55C to +150C (junction) —
نوع نصب Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab) Surface Mount
تعداد پایه 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Gate, Drain, Source)
Series CoolMOS CFD7 —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Target Application ZVS / LLC resonant converters, soft switching —
Part Number — IPD082N10N3GATMA1
Manufacturer — Infineon Technologies
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C — 80 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 8.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 125 W
دمای اتصال کاری — -55°C to +175°C
بسته‌بندی / کیس — PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Automotive Qualified (AEC-Q101) — Not applicable (industrial/consumer grade)
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت