IPL65R230C7AUMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPL65R230C7AUMA1 بواسطة Infineon و IPL60R105P7AUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IPL60R105P7AUMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IPL65R230C7AUMA1 | IPL60R105P7AUMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS C7 | CoolMOS P7 |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS C7) | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 650 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 10 A | 33 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 67 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 230 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical at VGS=10V] | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +150 C | — |
| العلبة | PG-VSON-4 (surface mount, 4 pins) | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| ESD Protection | Yes (integrated, per datasheet) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | Yes (per Infineon product page) | Yes |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 105 mΩ |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | — | 137 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 3.5 V |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 45 nC |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Lead-Free | — | Yes |