IPL65R230C7AUMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPL65R230C7AUMA1 tarafından Infineon ve IPL60R105P7AUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPL65R230C7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 CoolMOS P7
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS C7) Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 10 A 33 A
Power Dissipation (PD) at Tc 67 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 230 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical at VGS=10V] —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +150 C —
Paket PG-VSON-4 (surface mount, 4 pins) PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
ESD Protection Yes (integrated, per datasheet) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Klorürsüz Yes (per Infineon product page) Yes
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C
Channel Type — N-Channel
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin