IR2101STRPBF vs IR2101PBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2101STRPBF بواسطة Infineon و IR2101PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2101STRPBF IR2101PBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent Half-Bridge (High and Low Side)
Number of Drivers 2 2 (High-Side + Low-Side)
Driver Type Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (Typ.) 210 mA —
Sink Current (Typ.) 360 mA —
Propagation Delay (Typ.) 160 ns —
Rise Time (Typ.) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: fall time] —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Negative Transient Immunity on VS Yes (dV/dt immune) —
العلبة 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width) 8-PDIP (0.300 inch, 7.62 mm)
نوع التركيب Surface Mount Through-Hole
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C -40C to +125C
مستوى MSL MSL 3 —
حالة RoHS Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
Input Type — Non-Inverting
عدد المخارج — 2
Supply Voltage (VCC/VBS) — 10 V to 20 V
Peak Source Current — 0.21 A (210 mA)
Peak Sink Current — 0.36 A
Offset (High-Side) Voltage — Up to +600 V
Propagation Delay — 160 ns
Undervoltage Lockout — Yes
dV/dt Immunity — Yes (negative transient tolerant)
Packaging — Tube

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر