IR2101STRPBF vs IR2101PBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IR2101STRPBF توسط Infineon و IR2101PBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IR2101STRPBF IR2101PBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Configuration Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent Half-Bridge (High and Low Side)
Number of Drivers 2 2 (High-Side + Low-Side)
Driver Type Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (Typ.) 210 mA —
Sink Current (Typ.) 360 mA —
Propagation Delay (Typ.) 160 ns —
Rise Time (Typ.) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: fall time] —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Negative Transient Immunity on VS Yes (dV/dt immune) —
بسته‌بندی 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width) 8-PDIP (0.300 inch, 7.62 mm)
نوع نصب Surface Mount Through-Hole
دمای کاری -40 C to +125 C -40C to +125C
سطح MSL MSL 3 —
وضعیت RoHS Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
Input Type — Non-Inverting
تعداد خروجی‌ها — 2
Supply Voltage (VCC/VBS) — 10 V to 20 V
Peak Source Current — 0.21 A (210 mA)
Peak Sink Current — 0.36 A
Offset (High-Side) Voltage — Up to +600 V
Propagation Delay — 160 ns
Undervoltage Lockout — Yes
dV/dt Immunity — Yes (negative transient tolerant)
Packaging — Tube

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت