IR2101STRPBF vs IR2101PBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR2101STRPBF מאת Infineon ו IR2101PBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IR2101STRPBF IR2101PBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Configuration Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent Half-Bridge (High and Low Side)
Number of Drivers 2 2 (High-Side + Low-Side)
Driver Type Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (Typ.) 210 mA —
Sink Current (Typ.) 360 mA —
Propagation Delay (Typ.) 160 ns —
Rise Time (Typ.) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: fall time] —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Negative Transient Immunity on VS Yes (dV/dt immune) —
מארז 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width) 8-PDIP (0.300 inch, 7.62 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Through-Hole
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C -40C to +125C
רמת MSL MSL 3 —
סטטוס RoHS Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
Input Type — Non-Inverting
מספר יציאות — 2
Supply Voltage (VCC/VBS) — 10 V to 20 V
Peak Source Current — 0.21 A (210 mA)
Peak Sink Current — 0.36 A
Offset (High-Side) Voltage — Up to +600 V
Propagation Delay — 160 ns
Undervoltage Lockout — Yes
dV/dt Immunity — Yes (negative transient tolerant)
Packaging — Tube

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר