IR2101STRPBF vs IR2101PBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IR2101STRPBF द्वारा Infineon और IR2101PBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IR2101STRPBF IR2101STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver, 8-SOIC | Infineon

IR2101STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver, 8-SOIC | Infineon

IR2101STRPBF ✓ सक्रिय
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IR2101PBF IR2101PBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2101PBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2101PBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IR2101STRPBF IR2101PBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Configuration Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent Half-Bridge (High and Low Side)
Number of Drivers 2 2 (High-Side + Low-Side)
Driver Type Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (Typ.) 210 mA —
Sink Current (Typ.) 360 mA —
Propagation Delay (Typ.) 160 ns —
Rise Time (Typ.) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: fall time] —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Negative Transient Immunity on VS Yes (dV/dt immune) —
पैकेज 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width) 8-PDIP (0.300 inch, 7.62 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Through-Hole
ऑपरेटिंग तापमान -40 C to +125 C -40C to +125C
MSL स्तर MSL 3 —
RoHS स्थिति Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
Input Type — Non-Inverting
आउटपुट की संख्या — 2
Supply Voltage (VCC/VBS) — 10 V to 20 V
Peak Source Current — 0.21 A (210 mA)
Peak Sink Current — 0.36 A
Offset (High-Side) Voltage — Up to +600 V
Propagation Delay — 160 ns
Undervoltage Lockout — Yes
dV/dt Immunity — Yes (negative transient tolerant)
Packaging — Tube

डेटाशीट और संसाधन

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