IR2114SSPBF vs 2ED2106S06FXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2114SSPBF بواسطة Infineon و 2ED2106S06FXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2114SSPBF 2ED2106S06FXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration Half-bridge gate driver High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
عدد المخارج 2 (high-side + low-side) 2 (1 high-side, 1 low-side)
البنية الطوبولوجية Non-inverting —
Offset (high-side) Voltage (max) 600 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply (VDD) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 25 V (with respect to VS) —
Source Current (typ.) 2 A 0.29 A
Sink Current (typ.) 3 A 0.7 A
Rise / Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Propagation Delay (typ.) 50 ns 100 ns
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL CMOS, TTL
UVLO Thresholds VCC and VBS, internally set —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Over-Current Shutdown Yes (programmable, with FAULT output) —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
العلبة 24-SSOP (7.80 mm wide, 1.75 mm height) PG-DSO-8-69 (DSO-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant —
Offset Voltage (Voffset max) — 650 V
Number of Drivers — 2
عدد الدبابيس — 8
Bootstrap Diode — Integrated
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
نوع الخرج — Half-Bridge, Non-Inverting

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر