IR2114SSPBF vs 2ED2106S06FXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR2114SSPBF מאת Infineon ו 2ED2106S06FXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IR2114SSPBF 2ED2106S06FXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Configuration Half-bridge gate driver High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
מספר יציאות 2 (high-side + low-side) 2 (1 high-side, 1 low-side)
טופולוגיה Non-inverting —
Offset (high-side) Voltage (max) 600 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply (VDD) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 25 V (with respect to VS) —
Source Current (typ.) 2 A 0.29 A
Sink Current (typ.) 3 A 0.7 A
Rise / Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Propagation Delay (typ.) 50 ns 100 ns
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL CMOS, TTL
UVLO Thresholds VCC and VBS, internally set —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Over-Current Shutdown Yes (programmable, with FAULT output) —
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C —
מארז 24-SSOP (7.80 mm wide, 1.75 mm height) PG-DSO-8-69 (DSO-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant —
Offset Voltage (Voffset max) — 650 V
Number of Drivers — 2
מספר פינים — 8
Bootstrap Diode — Integrated
טווח טמפרטורת פעולה — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
סוג פלט — Half-Bridge, Non-Inverting

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר