IR2114SSPBF vs 2ED2106S06FXUMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IR2114SSPBF द्वारा Infineon और 2ED2106S06FXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IR2114SSPBF IR2114SSPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2114SSPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2114SSPBF ✓ सक्रिय
Infineon
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IR2114SSPBF 2ED2106S06FXUMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Configuration Half-bridge gate driver High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
आउटपुट की संख्या 2 (high-side + low-side) 2 (1 high-side, 1 low-side)
टोपोलॉजी Non-inverting —
Offset (high-side) Voltage (max) 600 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply (VDD) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 25 V (with respect to VS) —
Source Current (typ.) 2 A 0.29 A
Sink Current (typ.) 3 A 0.7 A
Rise / Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Propagation Delay (typ.) 50 ns 100 ns
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL CMOS, TTL
UVLO Thresholds VCC and VBS, internally set —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Over-Current Shutdown Yes (programmable, with FAULT output) —
ऑपरेटिंग तापमान -40 C to +125 C —
पैकेज 24-SSOP (7.80 mm wide, 1.75 mm height) PG-DSO-8-69 (DSO-8)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant —
Offset Voltage (Voffset max) — 650 V
Number of Drivers — 2
पिन की संख्या — 8
Bootstrap Diode — Integrated
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
आउटपुट प्रकार — Half-Bridge, Non-Inverting

डेटाशीट और संसाधन

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