IR2114SSPBF vs 2ED2106S06FXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IR2114SSPBF tarafından Infineon ve 2ED2106S06FXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IR2114SSPBF 2ED2106S06FXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Configuration Half-bridge gate driver High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Çıkış Sayısı 2 (high-side + low-side) 2 (1 high-side, 1 low-side)
Ağ Yapısı Non-inverting —
Offset (high-side) Voltage (max) 600 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply (VDD) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 25 V (with respect to VS) —
Source Current (typ.) 2 A 0.29 A
Sink Current (typ.) 3 A 0.7 A
Rise / Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Propagation Delay (typ.) 50 ns 100 ns
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL CMOS, TTL
UVLO Thresholds VCC and VBS, internally set —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Over-Current Shutdown Yes (programmable, with FAULT output) —
İşletim Sıcaklığı -40 C to +125 C —
Paket 24-SSOP (7.80 mm wide, 1.75 mm height) PG-DSO-8-69 (DSO-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant —
Offset Voltage (Voffset max) — 650 V
Number of Drivers — 2
Pin Sayısı — 8
Bootstrap Diode — Integrated
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
Çıkış Türü — Half-Bridge, Non-Inverting

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin