IRF520NPBF vs IRFU9024NPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF520NPBF بواسطة Infineon و IRFU9024NPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF520NPBF | IRFU9024NPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | HEXFET | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc | 9.7 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| Gate-to-Source Voltage (V_GS) max | ±20 V | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 200 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | 16.7 nC | — |
| Power Dissipation (P_D) at Tc | 48 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C | — |
| العلبة | TO-220AB (through-hole) | IPAK (TO-251AA) Through-Hole |
| نوع التركيب | Through Hole | Through Hole |
| مستوى MSL | 1 (unlimited) | — |
| حالة RoHS | Compliant (Pb-free) | — |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| Technology | HEXFET (vertical DMOS) | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | -11 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | -44 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | — | 175 mOhm max |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -4 V max |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 12.7 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 170 pF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 92 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 350 pF |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 38 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55C to +175C |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Lead-Free, RoHS Compliant |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Generation | — | Fifth-Generation HEXFET |