IRF520NPBF vs IRFU9024NPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF520NPBF द्वारा Infineon और IRFU9024NPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF520NPBF | IRFU9024NPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | HEXFET | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc | 9.7 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| Gate-to-Source Voltage (V_GS) max | ±20 V | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 200 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | 16.7 nC | — |
| Power Dissipation (P_D) at Tc | 48 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | — |
| पैकेज | TO-220AB (through-hole) | IPAK (TO-251AA) Through-Hole |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through Hole |
| MSL स्तर | 1 (unlimited) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (Pb-free) | — |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| Technology | HEXFET (vertical DMOS) | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | -11 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | -44 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | — | 175 mOhm max |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -4 V max |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 12.7 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 170 pF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 92 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 350 pF |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 38 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +175C |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Lead-Free, RoHS Compliant |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Generation | — | Fifth-Generation HEXFET |