IRF520NPBF vs IRFU9024NPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF520NPBF بذریعہ Infineon اور IRFU9024NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF520NPBF IRFU9024NPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series HEXFET —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 9.7 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
R_DS(on) max at V_GS=10V 200 mOhm —
Total Gate Charge (Q_g) 16.7 nC —
Power Dissipation (P_D) at Tc 48 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C —
پیکیج TO-220AB (through-hole) IPAK (TO-251AA) Through-Hole
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
MSL لیول 1 (unlimited) —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free) —
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Technology HEXFET (vertical DMOS) —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -11 A
Pulsed Drain Current (IDM) — -44 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V — 175 mOhm max
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — -4 V max
Total Gate Charge (Qg) — 12.7 nC
Input Capacitance (Ciss) — 170 pF
Output Capacitance (Coss) — 92 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 350 pF
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 38 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free, RoHS Compliant
Avalanche Rated — Yes
Generation — Fifth-Generation HEXFET

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں