IRFR3607TRPBF vs IRFR3504ZTRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR3607TRPBF بواسطة Infineon و IRFR3504ZTRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR3607TRPBF | IRFR3504ZTRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 75 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 56 A | — |
| Calculated Die Drain Current | 80 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 56 nC | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | +/-20 V | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 140 W | — |
| Thermal Resistance (RthJC) | 1.0 C/W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention) | — |
| العلبة | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) surface mount |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET (planar DMOS) | HEXFET (N-Channel Silicon MOSFET) |
| Avalanche SOA | Fully characterized | — |
| RoHS / Lead-Free | Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) | — | 42 A |
| Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulsed] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | 1.8 V (logic-level) |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 30 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 90 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55°C to +175°C |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| مستوى MSL | — | 1 (unlimited) |
| Avalanche Rated | — | Yes (improved repetitive avalanche rating) |