IRFR3607TRPBF vs IRFR3504ZTRPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFR3607TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFR3504ZTRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRFR3607TRPBF | IRFR3504ZTRPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 75 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 56 A | — |
| Calculated Die Drain Current | 80 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 56 nC | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | +/-20 V | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 140 W | — |
| Thermal Resistance (RthJC) | 1.0 C/W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention) | — |
| প্যাকেজ | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) surface mount |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET (planar DMOS) | HEXFET (N-Channel Silicon MOSFET) |
| Avalanche SOA | Fully characterized | — |
| RoHS / Lead-Free | Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) | — | 42 A |
| Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulsed] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | 1.8 V (logic-level) |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 30 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 90 W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55°C to +175°C |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |
| MSL লেভেল | — | 1 (unlimited) |
| Avalanche Rated | — | Yes (improved repetitive avalanche rating) |