IRFR3607TRPBF vs IRFR3504ZTRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR3607TRPBF tarafından Infineon ve IRFR3504ZTRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR3607TRPBF IRFR3504ZTRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 56 A —
Calculated Die Drain Current 80 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V —
Total Gate Charge (Qg) 56 nC —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD, Tc) 140 W —
Thermal Resistance (RthJC) 1.0 C/W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention) —
Paket TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (planar DMOS) HEXFET (N-Channel Silicon MOSFET)
Avalanche SOA Fully characterized —
RoHS / Lead-Free Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) — 42 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 9 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 1.8 V (logic-level)
Total Gate Charge (Qg) typ — 30 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 90 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55°C to +175°C
RoHS Durumu — Compliant
MSL Seviyesi — 1 (unlimited)
Avalanche Rated — Yes (improved repetitive avalanche rating)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin