IRFR3607TRPBF vs IRFR3504ZTRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR3607TRPBF द्वारा Infineon और IRFR3504ZTRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFR3607TRPBF | IRFR3504ZTRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 75 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 56 A | — |
| Calculated Die Drain Current | 80 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 56 nC | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | +/-20 V | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 140 W | — |
| Thermal Resistance (RthJC) | 1.0 C/W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention) | — |
| पैकेज | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) surface mount |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET (planar DMOS) | HEXFET (N-Channel Silicon MOSFET) |
| Avalanche SOA | Fully characterized | — |
| RoHS / Lead-Free | Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) | — | 42 A |
| Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulsed] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | 1.8 V (logic-level) |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 30 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 90 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55°C to +175°C |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| MSL स्तर | — | 1 (unlimited) |
| Avalanche Rated | — | Yes (improved repetitive avalanche rating) |