IRFR3806TRPBF vs IRFR4620TRLPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR3806TRPBF بواسطة Infineon و IRFR4620TRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFR3806TRPBF IRFR4620TRLPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Transistor Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 43 A —
On-State Resistance RDS(on) max 15.8 mOhm at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) 22 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C 71 W —
العلبة / الحالة TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Number of Units in IC 1 —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Avalanche Rated Yes (HEXFET family) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 24 A at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) — 25 nC typical
Power Dissipation (PD) — 144 W at Tc
درجة حرارة التشغيل — -55C to +175C
Lead Free — Yes
حالة RoHS — Compliant
مستوى MSL — 1 (Unlimited)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر