IRFR3806TRPBF vs IRFR4620TRLPBF Ikinahambing

Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng IRFR3806TRPBF sa pamamagitan ng Infineon at IRFR4620TRLPBF sa pamamagitan ng Infineon. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.

Pagsanggunian na paghahambing

Parametro IRFR3806TRPBF IRFR4620TRLPBF
Brand Infineon Infineon
Kategorya MOSFETs MOSFETs
Katayuan ng Lifecycle Aktibo Aktibo
Transistor Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 43 A —
On-State Resistance RDS(on) max 15.8 mOhm at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) 22 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C 71 W —
Packhaging / Kaso TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Uri ng Pagpapasok Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET
Hanay ng Temperature na Operasyon -55 C to +175 C —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Number of Units in IC 1 —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Avalanche Rated Yes (HEXFET family) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
Uri ng Transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 24 A at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) — 25 nC typical
Power Dissipation (PD) — 144 W at Tc
Temperature na Operasyon — -55C to +175C
Lead Free — Yes
Tindminan RoHS — Compliant
Level ng MSL — 1 (Unlimited)

Mga Datasheets at Resources

Tingnan ang Lahat ng mga Produkto Lumikha ng BOM Hilingin ang Kita