IRFR3806TRPBF vs IRFR4620TRLPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR3806TRPBF توسط Infineon و IRFR4620TRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR3806TRPBF IRFR4620TRLPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Transistor Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 43 A —
On-State Resistance RDS(on) max 15.8 mOhm at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) 22 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C 71 W —
بسته‌بندی / کیس TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET
محدوده دمای کاری -55 C to +175 C —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Number of Units in IC 1 —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Avalanche Rated Yes (HEXFET family) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 24 A at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) — 25 nC typical
Power Dissipation (PD) — 144 W at Tc
دمای کاری — -55C to +175C
Lead Free — Yes
وضعیت RoHS — Compliant
سطح MSL — 1 (Unlimited)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت