IRFR3806TRPBF vs IRFR4620TRLPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR3806TRPBF מאת Infineon ו IRFR4620TRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFR3806TRPBF IRFR4620TRLPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Transistor Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 43 A —
On-State Resistance RDS(on) max 15.8 mOhm at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) 22 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C 71 W —
מארז / Case TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +175 C —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Number of Units in IC 1 —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Avalanche Rated Yes (HEXFET family) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 24 A at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) — 25 nC typical
Power Dissipation (PD) — 144 W at Tc
טמפרטורת פעולה — -55C to +175C
Lead Free — Yes
סטטוס RoHS — Compliant
רמת MSL — 1 (Unlimited)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר