IRLHS6242TRPBF vs IRLML2803TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLHS6242TRPBF بواسطة Infineon و IRLML2803TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRLHS6242TRPBF | IRLML2803TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET (trench MOSFET) | IR MOSFET Generation V |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 20 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±12 V | — |
| Continuous Drain Current (TA) | 10 A | — |
| Continuous Drain Current (TC) | 12 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | 11.7 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 14 nC | — |
| Power Dissipation (TA) | 1.98 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 9.6 W | — |
| العلبة | 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad | Micro3 / SOT-23 (3-pin) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C to +150°C | — |
| Gate Drive Level | Logic-level (4.5V); 2.5V-capable | Logic-level (driven from 3.3V / 5V) |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IRLML2803TRPBF |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 1.2 A |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | — | 250 mOhm maximum |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Gate Charge (Qg) | — | 3.3 nC typical |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 540 mW |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (TJ) |
| مستوى MSL | — | 1 |
| RoHS Compliance | — | Compliant, Halogen-Free |