IRLHS6242TRPBF vs IRLML2803TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRLHS6242TRPBF توسط Infineon و IRLML2803TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRLHS6242TRPBF IRLML2803TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (trench MOSFET) IR MOSFET Generation V
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±12 V —
Continuous Drain Current (TA) 10 A —
Continuous Drain Current (TC) 12 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 11.7 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 14 nC —
Power Dissipation (TA) 1.98 W —
Power Dissipation (TC) 9.6 W —
بسته‌بندی 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad Micro3 / SOT-23 (3-pin)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای کاری -55°C to +150°C —
Gate Drive Level Logic-level (4.5V); 2.5V-capable Logic-level (driven from 3.3V / 5V)
Qualification JEDEC standard —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRLML2803TRPBF
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.2 A
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 250 mOhm maximum
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge (Qg) — 3.3 nC typical
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 540 mW
محدوده دمای کاری — -55C to +150C (TJ)
سطح MSL — 1
RoHS Compliance — Compliant, Halogen-Free

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت